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主动和被动电子元件
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主动和被动电子元件
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2013年
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图2
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研究文章
一种新型纳米级与Block-Oxide FDSOI MOSFET
图2
模拟静电势(V)沿着场效应晶体管作为横向距离的函数接口和门的长度= 30 nm。