一种新型纳米级与Block-Oxide FDSOI MOSFET

bFDSOI-FETs的流程示意图。(a)如果身体模式。(b - 1) Block-oxide形成,Block-oxide的高度()=如果身体厚度()和block-oxide的长度()是S / D bFDSOI-FET 60纳米的薄。(b - 2) Block-oxide形成,等于和是暗线S / D bFDSOI-FET 15海里。(颈- 1)文章沉积。(c - 2)文章沉积,整平,并再次沉积。(d)薄S / d bFDSOI-FET。隐藏式bFDSOI-FET (e)。一个FDSOI-FET (f)。UTBSOI-FET (g)。(h)的学位/ D UTBSOI-FET。薄的S / D和隐藏式S / D bFDSOI-FETs,典型的价值观和文章通道厚度(分别为30和5 nm)。FDSOI-FET的典型值是30 nm。UTBSOI-FET的典型值(=)是5海里。学位/ D UTBSOI-FET,典型值(=),文章提出了S / D厚度5 nm和30 nm,分别。其他参数,盒子厚度()和前门氧化物厚度(分别)50 nm和1.4 nm。