金属绝缘体半导体场效应晶体管

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近几十年来，金属绝缘半导体场效应晶体管(MISFETs)及其应用取得了巨大进展。在许多可能用于MISFETs的半导体材料中，Ge、III-V和III-N半导体作为MISFETs的通道已经引起了相当多的关注。这些设备被用于大量不同的电路中，如功率放大器、低噪声放大器、混频器、变频器和移相器。此外，高k介电材料现在在提高速度和驱动电流性能的高移动通道器件中扮演着重要的角色。我们邀请作者提供原创性研究和综述文章的最新进展，在各种misfeet和他们的应用。

其中一份题为“不同PMA条件下高k/金属栅pMOSFET器件可靠性的提高讨论了不同金属化后退火条件对高k/金属栅极pMOSFET可靠性的改善。

在另一篇题为"栅极堆焊工程和热处理对材料电气性能和界面性能的影响 办公室的电容器作者探讨了栅堆工程和金属化后退火对Ti/Pt/HfO电学性能和界面性能的影响₂/在pMOS电容器。丰富的InAs界面层进一步抑制表面状态，这可以通过降低栅漏电流和损耗/反转电容得到证明。

纸”的比较研究 , 和BeO在Si金属-氧化物-半导体器件中的超薄界面阻挡层“调查SiO的影响₂,艾尔。₂O_3.和BeO在Si MOS器件上的超薄界面阻挡层。在Si通道和高k栅介质之间插入一ALD BeO界面层，提高了高场载流子迁移率，改善了MOSFET参数和可靠性特性，同时保持相似的EOT。

纸”gan基高钾氧化镨栅极与 界面处理技术”以高k Pr的方式向藻类/GaN MISFETs展示₂O_3.其中处理了藻类肖特基层照明。因此，这种新的预处理被证明适用于低噪声氮化镓MISFET应用。

题为"金属化后退火的理解 在 对待III-V半导体讨论了模型- tio的电特性₂在p型InP和GaAs上生长。(NH₄)₂经过S处理后，MOS电容器的电特性得到改善，因为其氧化物的减少。金属化后退火可使多晶tio2的缺陷和晶界钝化，从而进一步改善其电学特性₂。

题为"一种新型的含氧化物的纳米级FDSOI MOSFET提出了一种新型的平面全耗尽绝缘体上硅绝缘体nMOSFET，采用氧化物侧壁间隔技术。沿着硅体侧壁出现的块状氧化物显著减少了沟道上漏极偏压的影响。与传统的FDSOI相比，这种新型的FDSOI结构具有更好的性能。

这些论文显示了研究课题的代表性，一些活跃的和原创的领域。希望这些文章能帮助读者更好地了解一些新的重要的研究领域。

客座编辑很高兴将这期特刊提交给Hindawi出版公司，并希望这期特刊能达到突出MISFETs的突出进展的目的。对所有提出宝贵意见的审稿人表示衷心的感谢。

Kuan-Wei李
爱德华宜昌
Yeong-Her王
Pei-Wen李
Yasuyuki宫本茂

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