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研究文章

潜力和量子纳米线Gate-All-Around mosfet的阈值电压模型

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变化的量子集成电荷在虚拟源门电压不同的宽度,高度和长度的电影海里,nm。

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文章奖:2020年杰出的研究贡献,选择由我们的首席编辑。获奖的文章阅读。