主动和被动电子元件/2013年/文章/图3

研究文章

潜力和量子纳米线Gate-All-Around mosfet的阈值电压模型

图3

获得恒定的静电势的解析解gate-all-around硅纳米线晶体管是0.3 V对不同通道的长度和高度纳米通道的宽度nm。TCAD仿真表明,潜在的常数为0.296 V。
153157. fig.003

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