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2013年
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图3
研究文章
潜力和量子纳米线Gate-All-Around mosfet的阈值电压模型
图3
获得恒定的静电势的解析解gate-all-around硅纳米线晶体管是0.3 V对不同通道的长度和高度纳米通道的宽度nm。TCAD仿真表明,潜在的常数为0.296 V。
文章奖:2020年杰出的研究贡献,选择由我们的首席编辑。
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