主动和被动电子元件/2013年/文章/图6

研究文章

0.8V 0.23西北1.5130年ns全面通过晶体管XOR门纳米CMOS

图6

线图显示传播延迟和输出负载的比较各种CMOS XOR盖茨提出的新颖的CMOS pass-transistor-based如火如荼XOR门。
148518. fig.006

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