主动和被动电子元件/2013年/文章/图3

研究文章

0.8V 0.23西北1.5130年ns全面通过晶体管XOR门纳米CMOS

图3

线图显示的比较不同CMOS的传播延迟和电源电压缩放XOR盖茨与提出新颖的CMOS pass-transistor-based如火如荼XOR门。
148518. fig.003

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