研究文章
描述和建模的DHBT InP / GaAsSb技术设计和制造的Ka波段MMIC振荡器
| (一) |
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| 技术 |
(GHz) |
结核病(%) |
(dBc / Hz) |
|
| 锗硅(Si /16] |
38 |
不 |
−55 |
| InGaP /砷化镓[17] |
40.8 |
< 1% |
−95 |
| 砷化镓(18] |
38 |
不 |
−104 |
| alina / InGaAs [19] |
39 |
9 |
−75 |
| alina / InGaAs [20.] |
38.1 |
< 1% |
−85 |
| 可[21] |
39.9 |
< 1% |
−84 |
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| 输入(这项工作) |
37.1 |
不 |
−80 |
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| (b) |
|
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(KHz) |
(dBm) |
FOM (dBc / Hz) |
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| One hundred. |
2 |
−53.2 |
| One hundred. |
5.3 |
−90.5 |
| 1000年 |
11.9 |
−67.3 |
| One hundred. |
5 |
−89.5 |
| One hundred. |
8.4 |
−76.8 |
| One hundred. |
5 |
−79.6 |
|
| One hundred. |
5.18 |
−74.8 |
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