主动和被动电子元件
研究文章

描述和建模的DHBT InP / GaAsSb技术设计和制造的Ka波段MMIC振荡器

图4

对比模型(红色)和我(V)测量(蓝十字)当前0.5到3.5 mA,不等电压范围温度等于0到3.5 VC。
796973. fig.004a
(一)
796973. fig.004b
(b)
796973. fig.004c
(c)