研究文章

门堆栈在电气工程和热处理和Ti / Pt /高频振荡器的界面特性2/在pMOS电容器

图5

2 2 频率相关- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -Pt /高频振荡器的特点/输入/ ina MOS电容器高频振荡器沉积在250°C之前和之后的后续PMA 300°C形成气体。
729328. fig.005