研究文章

门堆栈在电气工程和热处理和Ti / Pt /高频振荡器的界面特性2/在pMOS电容器

图4

2 2 (一)- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -和(b)频率相关- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -Pt /高频振荡器的特点/输入/ ina MOS电容器高频振荡器沉积在200、250和300°C。
729328. fig.004a
(一)
729328. fig.004b
(b)