研究文章

门堆栈在电气工程和热处理和Ti / Pt /高频振荡器的界面特性2/在pMOS电容器

图1

2 原位 CTEM高频振荡器的图片沉积在输入/ ina通道(a) 200°C和(b) 300°C。突然的氧化和本地免费为金属氧化物半导体应用程序接口提供了一个有前途的接口。
729328. fig.001a
(一)
729328. fig.001b
(b)