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研究文章

SOI MOSFET中选择性背氧化结构的扭结抑制分析

表1

SELBOX参数。


氧化层厚度(]	0.4μ米
氧化物间隙长度[]	0.04μ米
估计差距阻力使用(2）从图14	1346Ω
	3×10⁻⁵A / V

年度文章奖:由主编评选的2020年杰出研究贡献。阅读获奖文章．