研究文章

分析扭结减少SOI MOSFET使用选择性氧化结构

图7

Silvaco仿真结果表明氧化电流密度在SELBOX MOSFET的洞隙不同长度的差距。
565827. fig.007a
(一)孔电流密度为0.004间隙宽度μ
565827. fig.007b
(b)孔电流密度为0.02间隙宽度μ
565827. fig.007c
(c)孔电流密度为0.1间隙宽度μ