期刊
雷电竞下载苹果
raybet推荐吗
关于我们
博客
主动和被动电子元件
日报》概述
对于作者
对于审查员
的编辑器
表的内容
特殊的问题
主动和被动电子元件
/
2012年
/
文章
/
图7
/
研究文章
分析扭结减少SOI MOSFET使用选择性氧化结构
图7
Silvaco仿真结果表明氧化电流密度在SELBOX MOSFET的洞隙不同长度的差距。
(一)
孔电流密度为0.004间隙宽度
μ
米
(b)
孔电流密度为0.02间隙宽度
μ
米
(c)
孔电流密度为0.1间隙宽度
μ
米