///选项卡2

研究文章

基于冗余覆盖自动避免电路的ReRAM新型功率降低技术

表2

模拟条件。


模拟器	HSPICE
制造过程	180 nm互补金属氧化物半导体
电力供应	3.3 V
温度	27°C
放大的时候	70纳秒
位线电容(Cb)	200 fF

年度文章奖:由主编评选的2020年杰出研究贡献。阅读获奖文章．