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研究文章

基于冗余覆盖自动避免电路的ReRAM新型功率降低技术

表1

ReRAM设备特点。


高价值	80 kΩ
低阻的价值	20 kΩ
设置转换时间[1］	~ 50纳秒
重置过渡时间	~ 50纳秒
设定电压	2.2 V以上
复位电压	−1.4 V
读取电压	小于0.5 V

年度文章奖:由主编评选的2020年杰出研究贡献。阅读获奖文章．