4¯3 m is derived using a tensorial analysis of the anisotropic chemical dissolution. The role played by orientation functions in the generation of the dissolution slowness extrema is discussed. Four different databases composed of dissolution constants are proposed. The final shape of cross-sectional dissolution profiles etched in differently oriented GaAs surfaces is analyzed and compared with published experimental results. Finally etching shapes of micromachined membranes and mesa are derived showing that the anisotropy for the GaAs crystal is probably of type 2 rather than of type 1."> III-V晶体各向异性化学蚀刻溶解缓慢表面及其在GaAs中的应用 - raybet雷竞app,雷竞技官网下载,雷电竞下载苹果

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有源和无源电子元件/2004/文章

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体积 27 |文章的ID 871265 | 22 页面 | https://doi.org/10.1080/08827510310001616858

III-V晶体各向异性化学蚀刻溶解缓慢表面及其在GaAs中的应用

c r代表，1 g . Huve，1 和 t . g . Leblois1

1实验室Chronométrie电子及Piézoélectricité， e.n.m.。， 26 chemin de l'épitaphe，法国

收到了 02年6月2003年
修改后的 2003年7月28日

摘要

点群III-V晶体溶解慢度面的解析方程 4 ¯ 3. 米 利用各向异性化学溶解的张量分析导出。讨论了方位函数在溶蚀慢度极值产生中的作用。提出了四种不同的溶解常数组成的数据库。分析了在不同取向GaAs表面蚀刻的最终截面溶解轮廓，并与已发表的实验结果进行了比较。最后，推导了微加工膜和平台的刻蚀形状，表明GaAs晶体的各向异性可能是第2类而不是第1类。

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