主动和被动电子元件

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主动和被动电子元件/2001年/文章

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体积 24 |文章的ID 080453年 | https://doi.org/10.1155/2001/80453

c . a . Hodebourg c r代表, 一些调查的各向异性(hk0)和(hhl)的化学蚀刻硅板在35%氢氧化钠溶液。第一部分:2 d蚀刻的形状”,主动和被动电子元件, 卷。24, 文章的ID080453年, 26 页面, 2001年 https://doi.org/10.1155/2001/80453

一些调查的各向异性(hk0)和(hhl)的化学蚀刻硅板在35%氢氧化钠溶液。第一部分:2 d蚀刻的形状

收到了 2001年2月01
接受 2001年3月19日

文摘

本文的研究各向异性解散(hk0)和(hhl)硅板在35%氢氧化钠溶液。取向的影响首先,蚀刻表面的几何特性,其次,横断面形状的圆形盘子开始系统地调查。结论的实际利息的粗糙度蚀刻(hk0)和(hhl)飞机。2 d腐蚀形状然后分析各向异性张量的模型的解散和解散的标准。最后比较分析相关的结果一方面,2 d表面资料,另一方面,不圆度概要文件。这种比较表明,形状观察术痕迹同意理论形状作为派生当我们使用不圆度概要文件之间的相似的形状和极性图分解缓慢。

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