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R. Marrakh1和 A. Bouhdada
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1LABORATOIRE德宫体质等MATERIAUX德Microélectronique，Üniversite电哈桑二世，FacultéDES科学艾因政吴作栋，KM8;路线D'杰迪代，BP 5366Maârif，卡萨布兰卡，摩洛哥
收到
2000 03月09日
公认
2000年4月25日
抽象
我们提出在压力的时间到所述接口缺陷密度的演变，由热载流子注入引起的建模，ñ-MOSFET晶体管。这种界面缺陷密度由空间和时间的高斯分布建模的中心接近靠近漏通道的末端。高斯参数（标准偏差和最大值）根据应力而变化。应力产生的缺陷导致的阈值电压的劣化。与胁迫时间的阈值电压变化的分析，使我们能够处理对器件性能退化的信息。的数学表达式是简单，使得本模型适用于电路仿真器。
版权
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