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c . r .代表t . g . Leblois Charbonnieras, ”{hk0}的化学蚀刻硅板EDP第一部分:与TMAH实验和比较”,主动和被动电子元件, 卷。23, 文章的ID243450年, 15 页面, 2000年。 https://doi.org/10.1155/APEC.23.37
{hk0}的化学蚀刻硅板EDP第一部分:与TMAH实验和比较
收到了
2000年4月12日
接受
2000年4月25日
文摘
摘要各种硅的各向异性化学蚀刻板蚀刻在电子数据处理。变化与取向在蚀刻表面的几何特征和蚀刻的形状开始循环部分系统地调查。这些腐蚀形状与形状由蚀刻在KOH和TMAH溶液;这实验研究让我们决定解散缓慢表面电子数据处理解决方案和调查的真正影响蚀刻剂对二维和三维的腐蚀形状。
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