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材料科学与工程的发展
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材料科学与工程的发展
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2012年
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图7
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高空间分辨率飞行时间二次离子质谱质量:一种新型正交ToF FIB-SIMS仪器
原位
AFM
图7
−5
μ
校准情节的硼掺杂硅晶片显示线性适合测量的点(三个标准和一个空白),和95%的置信区间。6.0×10的氧气分压mbar被用来增强信号;主要梁是30 keV > 14.7 nA扫描面积10×1014.7米(当前无法衡量nA)。发现在这些条件下的极限这种材料是5.5 ppm。