_{2 2 3 2 3} 5(一个) 14 横断面的TEM研究SiO Ni-Ge纳米线设备/Si衬底和FIB削减。(一)低放大率NiGe的横断面TEM图像区域。20 nm厚O电影提供了一个正形限制在设备表面和锗化物纳米颗粒明显观察到纳米线下面隔离,没有覆盖的地区O。(b) Lattice-resolved HRTEM图像之间的界面形成NiGe纳米线(西北)和隔离NiGe纳米颗粒(NP),如白色矩形如图所示。插图显示了相应的FFT的模式。NiGe的标记晶格间距:纳米和nm。(c)横断面TEM图像的扫描配置文件的通用电气,镍,铝和O原子。(d) - (g)的扫描配置文件通用电气、镍、铝、和O原子,分别Ni /通用电气比例约为1:1。从[复制]。