评论文章

形成和设备的应用Ge纳米线异质结构通过快速热退火

图5

x x 2 3 2 3 2 3 x x x x x 2 3 6 14 倪的形成通用电气/电气/镍通用电气与铝异质结构O监禁。(a)示意图说明的O保角限制在Ge纳米线设备退化。(b)的扫描电镜图像纯属捏造Ge纳米线设备EBL-defined镍电极。(c)的扫描电镜图像Ge纳米线设备后保形20 nm厚的限制O。倪(d)的扫描电镜图像通用电气/电气/镍通用电气异质结构在450°C等了20年代的长度通用地区很容易控制几百纳米。箭头表示增长倪Ge纳米线。(e)图解插图显示镍的形成通用电气/电气/镍通用电气与铝纳米线异质结构O监禁。红线显示的位置选择FIB研究横断面结构如图。从[复制]。
316513. fig.005a
(一)
316513. fig.005b
(b)
316513. fig.005c
(c)
316513. fig.005d
(d)
316513. fig.005e
(e)