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米
w和米
b分别是有效质量的量子阱材料(砷化镓)和屏障材料(AlGaAs)在自由电子质量单位(米
e)和传导的抵消(价)乐队V
e(h)。砷化镓的能量带隙在较低的温度(砷化镓)= 1519伏。 |
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研究文章
理论研究砷化镓/ AlGaAs量子点的激子的复合物Nanoholes填充的增长
表1
数值的输入参数0.36遗传算法0.44作为阻挡层用于我们的计算。