杂志简介
凝聚态物理学的进展发表关于固体、液体、非晶态和奇异态材料物理的实验和理论研究的论文。
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主编乌略亚教授就职于俄亥俄大学,是一位凝聚态理论家。他的研究主要集中在纳米结构的电子特性,包括量子点和纳米线,以及二维晶体中的邻近效应。
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更多的文章电子结构和双层中的硫化钼的二维稀磁半导体的室温2再版Mn
锰(Mn)掺杂双金属层(BL)二硫化钼(MoS)的电子结构和磁性能2)使用密度泛函理论(DFT研究)以及现场哈伯德潜在校正(U)。结果表明,在BL金属氧化物半导体的Mo位点上,Mn被取代2在富硫(S-)态下比钼在能量上更有利。BL金属氧化物半导体中两个锰(Mn)原子之间的磁相互作用2总是铁磁(FM),不考虑它们之间的空间距离,但与原子间距铁磁相互作用衰变的强度。人们还发现,两种掺杂在BL MOS管不同层2沟通铁磁。除此之外,BL MOS管的详细调查2其与单层的对应表明在BL金属氧化物半导体中存在层间相互作用2影响掺杂BL金属氧化物半导体中的磁相互作用2。The calculated Curie temperature is 324, 418, and 381 K for impurity concentration of , ,和 ,分别,这是高于室温,和掺杂剂浓度的良好稀释极限是0-6.25%。基于这一发现,所以建议Mn掺杂BL的MoS2是高温自旋电子学中二维(2D)稀磁半导体(DMS)的良好候选材料。
粗糙微通道中液体流动与传热的实验研究
虽然粗糙度可以忽略不计,用于通过在经典流体力学管层流,表面粗糙度可能在微尺度的流体流动中起重要作用,由于表面积与体积的比值大。为了进一步验证在微尺度液体流动和传热粗糙表面的影响,热传递和液体流的性能的测试系统的设计和建造,和一系列的实验检查的导通,其中,所述微通道的材料是不锈钢和工作介质是甲醇。结果表明,表面粗糙度起着层流和在微通道的热传递的过程的显著作用。与粗糙度特性微通道,液体层流的泊肃叶数不仅依赖于所述粗糙微的横截面形状,而且在液体流的雷诺数。液体层的泊肃数粗糙微流增加,随着雷诺数。此外,液层传热的努塞尔数不仅粗略微通道的横截面形状,而且,以雷诺数液体流动,且随着雷诺数的努塞尔数的增加相关。
约瑟夫森电流通过量子点跟超导信息
在这项研究中,我们考虑在一个超导体/量子点/超导结组成的系统的约瑟夫森电流。在该模型中,在量子点的库仑相互作用被考虑,并且Lacroix的近似被应用于研究电子相关。我们通过应用拉克鲁瓦截断推导出量子点的格林函数。虽然安德列夫绑定状态,不会发生在我们的配方中,π- 结发生用于受限参数范围。在比较近藤温度与通过其他方法估算,可以发现,我们的Lacroix近似不能在超导体/量子点/超导结捕捉以及近藤物理。
复合液滴在弯曲微通道中的流体动力学
基于流体体积法,建立了弯曲微通道内复合液滴变形的理论模型。考察了弯曲角、连续相、内液滴与整体液滴的半径比、中间相的粘度等因素对复合液滴变形的影响,揭示了复合液滴变形的基本机理。结果表明,复合液滴在弯曲微通道内的变形过程可分为三个阶段,即初始阶段、转向阶段和调整阶段。连续相大的弯曲角和高的毛细数都导致了复合液滴的大剪切力和高的离心率。但随着半径比的增大,内液滴对复合液滴变形的影响由增强变为抑制。
超导硫氢化物的双重叠带模型:同位素质量指数
在硫氢化物的同位素位移的高值支持超导这些高温超导体,它们与巴丁-库珀施里弗(BCS)框架一致的声子介导的配对场景。知道状态的大型电子密度提高了临界温度( ),使用广义费米表面拓扑来增加它。本文提出了BCS框架下的硫氢化物超导体多组分模型。该模型可用于评价复合材料的某些性能超导体。利用有效的麦克米伦近似考虑了强、中耦合效应,并将同位素系数作为耦合参数及模型其他相关参数的函数进行评价。
提高了掺钒SnO的光催化活性2纳米颗粒在罗丹明B降解中的作用
在本文中,我们曾报道掺杂钒的一种新型光催化研究的SnO2纳米粒子(SNO2:V NPS)中若丹明B色降解。这些NP已经制备钒浓度通过共沉淀法从0%变化到4%。结构,形态和制备的纳米颗粒的光学特性已经通过X射线衍射(XRD)研究,傅里叶变换红外光谱(FTIR),透射电子显微镜(TEM),和UV-Vis和光致发光(PL)光谱。结构特性表明,两种未掺杂和SnO2: vnps呈正方结构,随着钒掺杂水平的增加,平均晶体尺寸从20nm减小到10nm。光学研究表明,SnO的吸收边缘2: vnps随钒浓度增加呈现红移。这种红移导致光学带隙从3.25 eV减小到2.55 eV。在SnO中观察到发光强度的猝灭2: V NPs,与未掺杂样品相比。罗丹明B染料(RhB)被用于研究所有合成的NPs的光催化降解。与未掺杂的SnO相比2纳米粒子,SnO的光催化活性2:V的NP得到了提高。RhB dye was considerably degraded by 95% within 150 min over on the SnO2:V纳米颗粒。