低功率应用的氮化侧壁高频率InGaAs MOSFET

“间隔片1”和“间隔片2”结构的建议器件制造步骤(步骤(1)和(2)是常见的加工步骤，步骤(3b)、(4b)和(5b)是“间隔片1”的加工步骤，步骤(3c)、(4c)和(5c)是“间隔片2”的加工步骤)。