高频InGaAs MOSFET氮化与侧壁为低功率应用程序设计

图8

(一)电流增益,单边功率增益与频率(固体:电流增益;开放:单边功率增益),(b)寄生参数和与频率(固体:;开放:)InGaAs MOSFET的侧壁间隔2厚度变化从2到10 nm设计。

(一)

(b)

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