///图3.

研究文章

具有氮化物侧壁设计的高频IngaAs MOSFET，用于低功耗应用

图3.

（一种）（b）具有侧壁“间隔物1”的InGaAs MOSFET的特性“垫片2”，“垫片2”，“垫片2”，“间隔物2”，横壁。

（一种）

（b）

年度奖项：由我们的首席编辑所选的2020年突出的研究捐款。阅读获奖物品。