///图2

研究文章

高频InGaAs MOSFET氮化与侧壁为低功率应用程序设计

图2

电场模拟InGaAs MOSFET没有侧壁(a)和(b)侧壁间隔1。”

(一)

(b)

文章奖:2020年杰出的研究贡献,选择由我们的首席编辑。获奖的文章阅读。