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研究文章

低功率应用的氮化侧壁高频率InGaAs MOSFET

图1

用于Atlas模拟的InGaAs MOSFET结构(a)无侧壁，(b)有侧壁“间隔片1”，(c)有侧壁“间隔片2”。

(一)

(b)

(c)

年度文章奖:由主编评选的2020年杰出研究贡献。阅读获奖文章．