杂志上的传感器
研究文章

正方形膜片CMUT电容计算使用新的偏转形状函数

表1

Device年代pecifications。
参数 价值 单位
隔膜sidelength 200年 μ米
杨氏模量 169年 平均绩点
残余应力 One hundred. MPa
泊松比 0.3 - - - - - -