研究文章
稳定提高一个高效石墨烯Nanoribbon场效应电晶体SRAM的设计
表7
power-delay-product分析MOSFET, FinFET和GNRFET-based技术。
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| SRAM的特点 |
6 t SRAM |
8 t SRAM |
| 场效应晶体管 |
FinFET |
GNRFET |
场效应晶体管 |
FinFET |
GNRFET |
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| 保留模式(J) |
5.5×10−18 |
7.6×10−19 |
2.2×10−19 |
8.2×10−21 |
3.5×10−21 |
3.1×10−21 |
| 访问模式(s) |
7.5×10−18 |
1.0×10−20 |
2.9×10−19 |
1.8×10−22 |
1.8×10−22 |
1.5×10−22 |
| 写模式(J) |
5.7×10−18 |
8.6×10−19 |
2.0×10−19 |
5.0×10−18 |
4.6×10−20 |
3.7×10−19 |
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