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纳米技术杂志CHINESE
纳米技术杂志CHINESE/2020./文章/标签6.

研究文章

高效石墨烯纳米波场效应晶体管SRAM设计的稳定性提高

表6.

基于GNRFET的MOSFET延迟分析。
SRAM特征 6T SRAM. 8T SRAM.
Mosfet. 芬特 GNRFET. Mosfet. 芬特 GNRFET.
保留模式（S） 1.9×10-13 1.4×10-14 1.3×10-13 2.5×10-13 1.6×10-13 1.3×10-13
访问模式（s） 2.5×10-13 2.0×10-13 1.6×10-13 3.7×10-13 3.6×10-13 3.0×10-13
写模式 1.3×10-13 1.0×10-13 9.3×10-12 1.4×10-13 1.3×10-13 1.1×10-13

年度奖项：由我们的首席编辑所选的2020年的优秀研究捐款。阅读获奖物品。