研究文章
稳定提高一个高效石墨烯Nanoribbon场效应电晶体SRAM的设计
表5
分析MOSFET的平均功耗,FinFET和GNRFET-based技术。
|
| SRAM的特点 |
6 t SRAM |
8 t SRAM |
| 场效应晶体管 |
FinFET |
GNRFET |
场效应晶体管 |
FinFET |
GNRFET |
|
| 保留模式(W) |
3.0×10−7 |
5.3×10−6 |
1.8×10−6 |
3.2×10−8 |
2.2×10−8 |
2.3×10−8 |
| 访问模式(W) |
3.0×10−7 |
5.3×10−6 |
1.8×10−6 |
5.0×10−8 |
5.0×10−8 |
4.9×10−8 |
| 写模式(W) |
4.5×10−7 |
8.2×10−6 |
2.1×10−6 |
3.6×10−7 |
3.5×10−7 |
3.5×10−7 |
|
|
