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纳米技术杂志CHINESE
纳米技术杂志CHINESE/2020./文章/标签4.

研究文章

高效石墨烯纳米波场效应晶体管SRAM设计的稳定性提高

表4.

基于GNRFET技术的MOSFET噪声裕度分析。
SRAM特征 6T SRAM. 8T SRAM.
Mosfet. 芬特 GNRFET. Mosfet. 芬特 GNRFET.
SNM（MV） 245. 280. 300 245. 280. 300
Asnm（MV） 170. 200. 215. 205. 256. 340.
WSNM（MV） 359. 378. 390. 350. 374. 380.

年度奖项：由我们的首席编辑所选的2020年的优秀研究捐款。阅读获奖物品。