基于石墨烯纳米带场效应晶体管SRAM设计的稳定性改进gydF4y2Ba

表3gydF4y2Ba

翅片场效应晶体管的器件参数。gydF4y2Ba


设备参数gydF4y2Ba	值(nm)gydF4y2Ba

门的长度,gydF4y2BalgydF4y2Ba_ggydF4y2Ba	16gydF4y2Ba
Top-fin宽度,gydF4y2BaWgydF4y2Ba_前gydF4y2Ba	8gydF4y2Ba
Bottom-fin宽度,gydF4y2BaWgydF4y2Ba_底gydF4y2Ba	8gydF4y2Ba
翅片高度,gydF4y2BaHgydF4y2Ba_fgydF4y2Ba	32gydF4y2Ba
有效氧化厚度，EOTgydF4y2Ba	1gydF4y2Ba