研究文章gydF4y2Ba
稳定提高一个高效石墨烯Nanoribbon场效应电晶体SRAM的设计gydF4y2Ba
图4gydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
dgydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2BaVgydF4y2Ba
ggydF4y2Ba转移特征的对称n型和p型GNRFETs |gydF4y2BaVgydF4y2Ba
dgydF4y2Ba| = 0.1 V和|gydF4y2BaVgydF4y2Ba
dgydF4y2Ba| = 1 V。gydF4y2Ba