基于石墨烯纳米带场效应晶体管SRAM设计的稳定性改进gydF4y2Ba

图3gydF4y2Ba

我gydF4y2Ba _dgydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2BaVgydF4y2Ba _dgydF4y2Ban型gnrfet的特性用于多个栅极电压在0.1 V的衰减gydF4y2BaVgydF4y2Ba _ggydF4y2Ba= 1v在顶部。gydF4y2Ba