///选项卡3

研究文章

建模、仿真和分析小说Nano-MOSFET阈值电压的定义

表3

仿真结果的比较V _TH提取各种子45 nm制程技术的方法。


方法	10 nm TN		16 nm TN		22纳米TN		32 nm TN		45纳米TN
方法	V_TLIN	V_TSAT	V_TLIN	V_TSAT	V_TLIN	V_TSAT	V_TLIN	V_TSAT	V_TLIN	V_TSAT

CCM	0.355 V	0.104 V	0.463 V	0.369 V	0.479 V	0.425 V	0.440 V	0.396 V	0.433 V	0.403 V
登月舱	0.683 V	厦门市	0.719 V	厦门市	0.706 V	厦门市	0.653 V	厦门市	0.634 V	厦门市
长效磺胺	0.675 V	0.437 V	0.7 V	0.6 V	0.675 V	0.6 V	0.649 V	0.552 V	0.626 V	0.578 V
通用汽车	0.59 V	0.51 V	0.645 V	0.575 V	0.645 V	0.56 V	0.6 V	0.525 V	0.6 V	0.5 V
MPM	0.7 V	0.55 V	0.7 V	0.625 V	0.7 V	0.675 V	0.65 V	0.675 V	0.65 V	0.675 V
HEEM	0.675 V	厦门市	0.675 V	厦门市	0.675 V	厦门市	0.625 V	厦门市	0.625 V	厦门市

文章奖:2020年杰出的研究贡献,选择由我们的首席编辑。获奖的文章阅读。