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研究文章

建模、仿真和分析小说Nano-MOSFET阈值电压的定义

表1

的比较V _TH提取方法10 nm测试设备。


方法	V_DS	V_TLIN

混合外推法提取方法	0 V	0.67 V
线性外推法(LEM)	0.1 V	0.68 V
二阶导数方法(SDM)	0.1 V	0.675 V
Ghibaudo方法(通用)	0.1 V	0.6 V
匹配点方法(MPM)	0.1 V	0.65 V

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