纳米技术杂志》

纳米技术杂志》/2017年/文章/图3

研究文章

建模、仿真和分析小说Nano-MOSFET阈值电压的定义

图3

(一)混合外推V TH萃取法( JNC价值与V GS情节)。外推的 JNC曲线提取V TH价值。(b) JNC流密度(A /厘米2沿着通道长度(等高线图)l不同的门势)(V GS= 0 V,V GS= 0.5 V,V GS= 1 V)。参考等值线代表了电流密度(A /厘米2)。
(一)
(b)

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