纳米技术杂志》

纳米技术杂志》/2017年/文章/图1

研究文章

建模、仿真和分析小说Nano-MOSFET阈值电压的定义

图1

10 nm测试装置仿真结果漂流和扩散电流与门电压(V GS)V DS= 0.1 V。

文章奖:2020年杰出的研究贡献,选择由我们的首席编辑。获奖的文章阅读