纳米技术杂志》
研究文章

颗粒大小对硫化钼的HDS活性

表3

XPS对金属氧化物半导体参数和作业3和 pvp(0.5)之前和之后VGO加氢脱硫反应。
样本 Mo3d信号(eV) 赋值 % ()。 S2p信号(eV) 赋值 % ()。 S /莫
金属氧化物半导体3 228.8 - -232.0 金属氧化物半导体3 79年 161.5 - -162.6 年代2− 58 2.90
230.1 - -233.5 或莫2年代5 11 162.68 - -163.86 41
231.8 - -235.1 MoO3 10 168.27 1
pvp (0.5) 228.9 - -232.1 金属氧化物半导体3 57 161.6 - -162.8 年代2− 45 2.97
在反应之前 230.1 - -233.4 或莫2年代5 38 162.9 - -164.1 50
231.9 - -235.4 MoO3 5 168.2 5
pvp (0.5) 229.5 - -232.7 金属氧化物半导体2 94年 162.4 - -163.6 年代2− 82年 1.88
后的反应 233.3 - -236.5 MoO3 6 163.5 - -164.8 13
168.7 5
答:原子原子% % S / Mo,使用敏感性因素,确定合装包所提供的软件。