纳米技术杂志/2011年/文章/图7.

研究文章

绝缘体聚合物薄膜厚度对存储器行为的影响:聚甲基丙烯酸甲酯和聚苯乙烯的情况

图7.

(a)聚合物层的SEM图像和(b)顶部铝电极显示出8 v循环施加到Al / PVA(10nm)-pmma(22nm)/ al器件的情况下没有损坏。与第一种情况相反,当应用20V的循环时,SEM图像在PMMA层和(D)顶铝电极中显示出物理损坏。(c)的插图显示了PMMA层的铝元素映射。
702464.fig.007a.
(一种)
702464.fig.007b.
(b)
702464.fig.007c.
(C)
702464.fig.007d.
(d)

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