蚀刻参数对孔隙尺寸和孔隙度的影响的电化学纳米多孔硅形成的

文摘

最常见的制造技术的多孔硅(PS)晶体硅晶片的电化学腐蚀是氢氟酸的(高频)抗酸的解决方案。电化学过程允许精确控制PS的属性如多孔层的厚度、孔隙度、平均孔隙直径。PS的控制这些属性显示依赖于高频使用的电解质浓度,应用电流密度,PS的厚度,孔隙直径的变化,孔隙率和比表面积PS研究通过测量氮吸附等温线。

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