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Polysilsesquioxanes Gate-Insulating材料的有机薄膜晶体管

表3

设备性能(流动性、开/关比率和 )玻璃和笔衬底上P3HT TFT的PMSQ栅绝缘层。
底物 米(厘米2V−1年代−1) (V) 开/关比
玻璃 4.0×10−3 −18 4.0×103
笔 1.3×10−3 5 4.0×103