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Polysilsesquioxanes Gate-Insulating材料的有机薄膜晶体管

图8

2 转移P3HT TFT捏造的特点在玻璃衬底(实线)和笔底物(虚线)V。插图:TFT的图像设备笔底物(5×5厘米)。
852063. fig.008