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国际高分子科学杂志》上
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2012年
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图8
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Polysilsesquioxanes Gate-Insulating材料的有机薄膜晶体管
图8
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转移P3HT TFT捏造的特点在玻璃衬底(实线)和笔底物(虚线)V。插图:TFT的图像设备笔底物(5×5厘米)。