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| 金属 |
氧化 |
特定的电阻ρ在293 K(Ω·厘米) |
热稳定性 |
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| 莫 |
MoO2 |
8.8·10−5金属导电率 |
T> 2100
3牛叫声2→莫+ 2牛叫声3 |
| MoO3 |
104-10年8半导体 |
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| W |
我们2 |
3·10−3p类型半导体 |
T> 2150
3我们2→W + 2我们3 |
| 我们3 |
103-10年5半导体 |
温度高于1098 K升华时 |
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| V |
签证官2 |
8·10−4n类型半导体 |
- - - - - - |
| V2O5 |
4·10−3n类型半导体 |
1000 - 1550 K
2 v2O5→4签证官2+ O2(V6O13) |
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| Zr |
ZrO2 |
1013介质 |
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