国际期刊的腐蚀
研究文章

研究大孔硅氢氧化钠溶液中腐蚀的电化学方法和扫描电镜

图9

顶视图和横截面扫描电镜图像的大孔硅腐蚀(a, b)和腐蚀后在1.0 M氢氧化钠(c)和腐蚀后1.0 M氢氧化钠/ EtOH(30%)在291 K (d)。
(一)
(b)
(c)
(d)