///图5

研究文章

电离总剂量的影响如果垂直扩散与SiO MOSFET₂,如果₃N₄/ SiO₂门电介质

图5

示意图说明电荷捕获在偏见辐照积极(a)和(b)非门偏见。

(一)

(b)

文章奖:2020年杰出的研究贡献,选择由我们的首席编辑。获奖的文章阅读。